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IKD06N60RATMA1 infineon 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 供应原装

制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

IKD06N60RATMA1

描述 

IGBT 600V 12A TO252-3


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

系列 TrenchStop™

其它名称 IKD06N60RATMA1TR

SP000964628

规格

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(值) 600V

电流 - 集电极 (Ic)(值) 12A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) 18A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值) 2.1V @ 15V,6A

功率 - 值 100W

开关能量 110μJ(开),220μJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 48nC

25°C 时 Td(开/关)值 12ns/127ns

测试条件 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr) 68ns

工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装 PG-TO252-3

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通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、


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