制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPD06N03LA G
描述
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 OptiMOS™
其它名称 IPD06N03LA
IPD06N03LAGINTR
IPD06N03LAGXT
IPD06N03LAGXTINTR
IPD06N03LAGXTINTR-ND
IPD06N03LAINTR
IPD06N03LAINTR-ND
SP000017600
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 5.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2V @ 40μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 22nC @ 5V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 2653pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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