
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSZ130N03LSGATMA1
描述
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 BSZ130N03LS G
BSZ130N03LSG
BSZ130N03LSGATMA1TR
BSZ130N03LSGINTR
BSZ130N03LSGINTR-ND
BSZ130N03LSGXT
SP000278810
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),35A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 13 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 13nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 970pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(值) 2.1W(Ta),25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
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