制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSZ180P03NS3EGATMA1
描述
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 BSZ180P03NS3E G
BSZ180P03NS3E G-ND
BSZ180P03NS3EGATMA1TR
SP000709740
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta），39.5A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.1V @ 48μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 30nC @ 10V
Vgs（值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2220pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.1W（Ta），40W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
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