准现货 HN1B04FU-GR Toshiba 分立半导体产品
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
HN1B04FU-GR,LF
描述
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
系列 -
规格
晶体管类型 NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（值） 150mA
电压 - 集射极击穿（值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（值） 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 200 @ 2mA，6V
功率 - 值 200mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 125°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 US6
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