工程一对一技术指导 ZXMN6A11DN8 Diodes 分立半导体产品
制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
ZXMN6A11DN8TA
描述
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
规格
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA（）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 5.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 330pF @ 40V
功率 - 值 1.8W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOP
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