- 型号 厂家 封装 批号 数量 PDF 备注 询价
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ISPLSI 2128VE-100LT176
LATTICE
176-TQFP
21+
12000
制造商
Lattice Semiconductor Corporation
制造商产品编号
ISPLSI 2128VE-100LT176
供应商
Lattice Semiconductor Corporation
描述
IC CPLD 128MC 10NS 176TQFP
类别
集成电路（IC）
嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件）
Lattice Semiconductor Corporation
ispLSI® 2000VE
托盘
零件状态
停产
可编程类型
系统内可编程
延迟时间 tpd(1) 最大值
10 ns
供电电压 - 内部
3V ~ 3.6V
逻辑元件/块数
32
宏单元数
128
栅极数
6000
I/O 数
128
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
176-LQFP
供应商器件封装
176-TQFP（24x24）
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
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IPB80N04S404ATMA1
INFINEON
PG-TO263-3-2
21+
6000
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB80N04S404ATMA1
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
Infineon Technologies
OptiMOS™
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 35μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3440 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
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IS43DR16320C-25DBLI-TR
ISSI
84-TWBGA
21+
5000
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
制造商产品编号
IS43DR16320C-25DBLI-TR
供应商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
描述
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
类别
集成电路（IC）
存储器
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
-
卷带（TR）
零件状态
不适用于新设计
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
512Mb（32M x 16）
存储器接口
并联
时钟频率
400 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
400 ps
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
84-TFBGA
供应商器件封装
84-TWBGA（8x12.5）
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IXFP76N15T2
IXYS
TO-220-3
21+
6000
制造商
IXYS
制造商产品编号
IXFP76N15T2
供应商
IXYS
描述
MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, TrenchT2™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
97 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
350W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
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ISL83202IBZT
INTERSIL
16-SOIC
21+
9000
制造商
Renesas Electronics America Inc
制造商产品编号
ISL83202IBZT
供应商
Renesas Electronics America Inc
描述
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
类别
集成电路（IC）
PMIC - 栅极驱动器
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
4
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
8.5V ~ 15V
逻辑电压 - VIL，VIH
1V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
1A，1A
输入类型
反相，非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
70 V
上升/下降时间（典型值）
9ns，9ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
16-SOIC
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IR2104PBF
Infineon
8-PDIP
20+
8000
一般信息
数据列表 IR2104STRPBFDatasheet;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 PMIC- 栅极驱动器
系列 -
其它名称 *IR2104PBF
SP001544338
规格
驱动配置 半桥
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
逻辑电压 - VIL，VIH 0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 210mA，360mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举） 600V
上升/下降时间（典型值） 100ns，50ns
封装/外壳 8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 8-PDIP
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
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IRLML5103TRPBF
Infineon
TO-236-3
20+
7000
一般信息
数据列表 IRLML5103PbF;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 IRLML5103GTRPBF
IRLML5103GTRPBF-ND
IRLML5103GTRPBFTR
IRLML5103GTRPBFTR-ND
IRLML5103PBFTR
SP001568594
SP001572946
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.1nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 75pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 540mW（Ta）
工作温度 -55°C~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Micro3™/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
询价 -
IRFP250MPBF
INFINEON
TO-247-3
20+
8000
一般信息
数据列表 IRFP250MPBF;
标准包装 25
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 SP001566168
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 75mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 123nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2159pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 214W（Tc）
工作温度 -55°C~ 175°C（TJ）
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
询价 -
IRF9530NPBF
Infineon
TO-220-3
20+
7000
一般信息
数据列表 IRF9530NPbF;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 *IRF9530NPBF
SP001570634
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 200 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 58nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 760pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 79W（Tc）
工作温度 -55°C~ 175°C（TJ）
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
公司简介：
安富利（深圳）实业优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。。
询价 -
IRF5210PBF
Infineon
TO-220-3
21+
8000
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF5210PBF
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
晨兴富利（深圳）电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一，服务于70多个国家的客户。晨兴富利（深圳）电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户，并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ，可在线订购数百万种产品，为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买，快速出货。欢迎垂询！
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