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IRLML5103TRPBF

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  • 型号:

    IRLML5103TRPBF

  • 厂家:

    Infineon

  • 封装:

    TO-236-3

  • 批号:

    TO-236-3

  • 数量:

    7000

  • 备注:

    一般信息

    数据列表       IRLML5103PbF;

    标准包装     3,000

    包装      标准卷带 

    零件状态       有源

    类别       分立半导体产品

    产品族    晶体管 - FET,MOSFET - 单个

    系列       HEXFET®

    其它名称       IRLML5103GTRPBF

    IRLML5103GTRPBF-ND

    IRLML5103GTRPBFTR

    IRLML5103GTRPBFTR-ND

    IRLML5103PBFTR

    SP001568594

    SP001572946

     

    规格

    FET 类型       P 通道

    技术       MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)       30V

    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    760mA(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)      4.5V,10V

    不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)      600 毫欧 @ 600mA,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    5.1nC @ 10V

    Vgs(最大值)     ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  75pF @ 25V

    FET 功能       -

    功率耗散(最大值)    540mW(Ta)

    工作温度       -55°C~ 150°C(TJ)

    安装类型       表面贴装型

    供应商器件封装    Micro3™/SOT-23

    封装/外壳      TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

     

    公司简介:

    安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。

     


  • 联系人:

    朱小姐/方小姐

  • 电话:

    0755-23004145

一般信息

数据列表       IRLML5103PbF;

标准包装     3,000

包装      标准卷带 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRLML5103GTRPBF

IRLML5103GTRPBF-ND

IRLML5103GTRPBFTR

IRLML5103GTRPBFTR-ND

IRLML5103PBFTR

SP001568594

SP001572946

 

规格

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    760mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)      4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)      600 毫欧 @ 600mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)    5.1nC @ 10V

Vgs(最大值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)  75pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(最大值)    540mW(Ta)

工作温度       -55°C~ 150°C(TJ)

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    Micro3™/SOT-23

封装/外壳      TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

 

公司简介:

安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。