制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPA90R340C3XKSA2
描述
MOSFET N-CH 900V 15A TO220
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
340 毫欧 @ 9.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
94 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
35W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IPA90R340
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPU60R2K1CEBKMA1
描述
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 欧姆 @ 760mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
22W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
基本产品编号
IPU60R
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IKW25N120H3FKSA1
描述
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
类别
分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V,25A
功率 - 最大值
326 W
开关能量
2.65mJ
输入类型
标准
栅极电荷
115 nC
25°C 时 Td(开/关)值
27ns/277ns
测试条件
600V,25A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
290 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
基本产品编号
IKW25N120
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IMC102TF064XUMA1
描述
IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 64LQFP
类别
集成电路(IC)
电源管理(PMIC)
电机驱动器,控制器
制造商
Infineon Technologies
系列
iMOTION™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
电机类型 - 步进
-
电机类型 - AC,DC
AC,同步
功能
控制器
输出配置
-
接口
模拟,PWM
技术
-
步进分辨率
-
应用
家用电器
电流 - 输出
50mA
电压 - 供电
3V ~ 5.5V
电压 - 负载
-
工作温度
-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
64-LQFP
供应商器件封装
PG-LQFP-64-26
基本产品编号
IMC102
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IDW30E65D1FKSA1
描述
DIODE GP 650V 60A TO247-3-1
类别
分立半导体产品
二极管
整流器
单二极管
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
60A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 30 A
速度
快速恢复 =< 500ns,>200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
115 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
40 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C
基本产品编号
IDW30E65
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Qualcomm
制造商产品编号
IPQ-4019-0-583MSP-MT-00-0
描述
IPQ4019 (000-0), 583MSP, DIG, SI
类别
未分类
未分类
制造商
Qualcomm
系列
*
包装
托盘
产品状态
在售
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IGW60T120FKSA1
描述
IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3
类别
分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop®
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V,60A
功率 - 最大值
375 W
开关能量
9.5mJ
输入类型
标准
栅极电荷
280 nC
25°C 时 Td(开/关)值
50ns/480ns
测试条件
600V,60A,10 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
基本产品编号
IGW60T120
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRFB4410ZPBF
描述
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 58A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
120 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4820 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
230W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB4410
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF7811ATRPBF
描述
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
28 V
25°C 时电流 - 连续漏极(Id)
11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)
4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1760 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB200N25N3GATMA1
描述
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 64A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB200
公司简介:
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!