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技术资料 / Data

SI6459BDQ-T1-E3 Vishay 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 全新原装

2020/7/13 10:30:45 SI6459BDQ-T1-E3

制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI6459BDQ-T1-E3

描述 

MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 TrenchFET®

其它名称 SI6459BDQ-T1-E3TR

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 115 毫欧 @ 2.7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 22nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(值) 1W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-TSSOP

封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

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