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技术资料 / Data

SI7682DP-T1-E3 Vishay 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 原装现货

2020/7/13 10:30:26 SI7682DP-T1-E3

制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI7682DP-T1-E3

描述 

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 9 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 38nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 1595pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(值) 5W(Ta),27.5W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

封装/外壳 PowerPAK® SO-8

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