制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPP050N06N G
描述
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 OptiMOS™
其它名称 IPP050N06N G-ND
IPP050N06NGIN
IPP050N06NGX
IPP050N06NGXK
SP000204169
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 4V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 167nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 6100pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3
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