制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

IPP065N04N G

描述 

MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 OptiMOS™

其它名称 IPP065N04N G-ND

IPP065N04NG

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 6.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 200μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 34nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 2800pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（值） 68W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-3

封装/外壳 TO-220-3

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