制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPG20N06S2L50ATMA1
描述
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 OptiMOS™
其它名称 IPG20N06S2L-50
IPG20N06S2L-50-ND
IPG20N06S2L50ATMA1TR
SP000613728
规格
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 50 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 19μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 560pF @ 25V
功率 - 值 51W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-4
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