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技术资料 / Data

IPG20N06S2L50ATMA1 infineon 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 全新原装

2020/4/27 10:03:58 IPG20N06S2L50ATMA1

制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

IPG20N06S2L50ATMA1

描述 

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 OptiMOS™

其它名称 IPG20N06S2L-50

IPG20N06S2L-50-ND

IPG20N06S2L50ATMA1TR

SP000613728

规格

FET 类型 2 N-通道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 50 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 19μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 560pF @ 25V

功率 - 值 51W

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-PowerVDFN

供应商器件封装 PG-TDSON-8-4

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