制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

IPG20N04S4L08ATMA1

描述 

MOSFET 2N-CH 8TDSON

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™

其它名称 IPG20N04S4L08ATMA1-ND

IPG20N04S4L08ATMA1TR

SP000705576

规格

FET 类型 2 N-通道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8.2 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.2V @ 22μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3050pF @ 25V

功率 - 值 54W

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-PowerVDFN

供应商器件封装 PG-TDSON-8-4

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