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技术资料 / Data

IPW65R150CFDFKSA1 infineon 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工程一对一技术指导

2020/3/13 9:54:42 IPW65R150CFDFKSA1

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPW65R150CFDFKSA1
描述

MOSFET N-CH 650V TO247

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 CoolMOS™
其它名称 SP000907038 
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22.4A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 150 毫欧 @ 9.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 900μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 86nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 2340pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(值) 195.3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
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