制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPW60R190C6FKSA1
描述

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS™
其它名称 IPW60R190C6 
IPW60R190C6-ND 
SP000621160 
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 630μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 63nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1400pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（值） 151W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
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