2000年，东芝半导体的销售额继INTEL之后，位居世界第二位。笔记本电脑的市场占有率连续7年保持。至2000年底，IT产值在东芝总产值中所占的比例已经达到了74%。

型号：

TK22A10N1 厂商：

Toshiba

一般信息

数据列表TK22A10N1;

标准包装  50

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列U-MOSVIII-H

其它名称TK22A10N1,S4X(S

TK22A10N1,S4X-ND

TK22A10N1S4X

规格

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）22A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 300μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）28nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1800pF @ 50V

Vgs（值）±20V

FET 功能-

功率耗散（值）30W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）13.8 毫欧 @ 11A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220SIS

封装/外壳TO-220-3 全封装，隔离接片 推荐：

MG15J6ES40MITSUBISH

TK22J60VTOSHIBA

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