晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。

型号：

STD6N80K5

厂商：ST

标准包装  2,500

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列SuperMESH5™

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）7.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）255pF @ 100V

Vgs（值）30V

FET 功能-

功率耗散（值）85W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1.6 欧姆 @ 2A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装DPAK

封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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