一般信息
数据列表 IRLML5103PbF;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 IRLML5103GTRPBF
IRLML5103GTRPBF-ND
IRLML5103GTRPBFTR
IRLML5103GTRPBFTR-ND
IRLML5103PBFTR
SP001568594
SP001572946
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 75pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 540mW(Ta)
工作温度 -55°C~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Micro3™/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。


一般信息
数据列表 IRFP250MPBF;
标准包装 25
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 SP001566168
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 75mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 123nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2159pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 214W(Tc)
工作温度 -55°C~ 175°C(TJ)
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。


一般信息
数据列表 IRF9530NPbF;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 *IRF9530NPBF
SP001570634
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 8.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 760pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 79W(Tc)
工作温度 -55°C~ 175°C(TJ)
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。


制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF5210PBF
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 24A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
180 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
200W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
晨兴富利(深圳)电子科技有限公司是一家电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于70多个国家的客户。晨兴富利(深圳)电子科技有限公司连接技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。原厂授权分销超过1100个品牌制造商 ,可在线订购数百万种产品,为工程师和采购人员提供一站式采购平台。一个芯片也可购买,快速出货。欢迎垂询!
一般信息
数据列表 IR2109PBFDatasheet;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 PMIC- 栅极驱动器
系列 -
其它名称 IR21094STRPBF-ND
IR21094STRPBFTR
SP001539652
规格
驱动配置 半桥
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
逻辑电压 - VIL,VIH 0.8V,2.9V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 200mA,350mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 600V
上升/下降时间(典型值) 150ns,50ns
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装 14-SOIC
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。


一般信息
数据列表 PIC12F629,675,PIC16F630,676 Programming;
PIC16F630, 676;
Tips N Tricks Guide;
标准包装 57
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 嵌入式 - 微控制器
系列 PIC®16F
其它名称 PIC16F676-I/SLG
PIC16F676-I/SLG-ND
PIC16F676ISL
规格
核心处理器 PIC
内核规格 8位
速度 20MHz
连接能力 -
I/O 数 12
程序存储容量 1.75KB(1K x 14)
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 128 x 8
RAM 大小 64 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 2V ~ 5.5V
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装 14-SOIC
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。


一般信息
数据列表 MPLAB®ICE2000 Spec;
PIC16F(627,628,648)A Programming Spec;
PIC16F627A/628A/648A;
Tips N Tricks Guide;
标准包装 42
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 嵌入式 - 微控制器
系列 PIC®16F
其它名称 PIC16F628AISO
规格
核心处理器 PIC
内核规格 8位
速度 20MHz
连接能力 UART/USART
外设 欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
I/O 数 16
程序存储容量 3.5KB(2K x 14)
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 128 x 8
RAM 大小 224 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 3V ~ 5.5V
数据转换器 -
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装 18-SOIC
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。


一般信息
数据列表 MPLAB®ICE2000 Spec;
PIC MCU Comparator Tips n Tricks;
PIC12F629, 675;
Tips N Tricks Guide;
标准包装 60
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 嵌入式 - 微控制器
系列 PIC®12F
其它名称 PIC12F675IP
规格
核心处理器 PIC
内核规格 8位
速度 20MHz
连接能力 -
外设 POR,WDT
I/O 数 5
程序存储容量 1.75KB(1K x 14)
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 128 x 8
RAM 大小 64 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 2V ~ 5.5V
数据转换器 A/D4x10b
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C~ 85°C(TA)
封装/外壳 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 8-PDIP
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。


一般信息
数据列表 PIC12F508,509Programming Spec;
PIC12F508/9, PIC16F505;
Tips N Tricks Guide;
标准包装 60
包装 管件
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 嵌入式 - 微控制器
系列 PIC®12F
其它名称 PIC12F508IP
规格
核心处理器 PIC
内核规格 8位
速度 4MHz
连接能力 -
外设 POR,WDT
I/O 数 5
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 -
RAM 大小 25 x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 2V ~ 5.5V
数据转换器 -
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C~ 85°C(TA)
封装/外壳 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 8-PDIP
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。


一般信息
数据列表 OPA170,2170,4170;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路(IC)
产品族 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
系列 -
其它名称 296-39103-2
OPA170AIDBVR-ND
规格
放大器类型 通用
电路数 1
输出类型 满摆幅
增益带宽积 1.2MHz
电流 - 输入偏置 8pA
电压 - 输入补偿 250μV
电流 - 供电 110μA
电流 - 输出/通道 17mA
电压 - 供电,单/双 (±) 2.7V ~ 36V,±1.35V ~ 18V
工作温度 -40°C~ 125°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-74A,SOT-753
供应商器件封装 SOT-23-5
公司简介:
安富利(深圳)实业优势品牌:XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿尔特拉)、SAMSUNG(三星) 、MICRON(美光)、SK HYNIX(海力士)、NANYA 、BROADCOM (博通)、ISSI、INTEL(英特尔)、TI(德州仪器)、MAXIM(美信)、ADI(亚德诺)、POWER、DAVICOM(联杰国际)、PLX(PLX技术公司)、CYPRESS(赛普拉斯)、MARVELL(美满)、AOS(万代)、FAIRCHILE、ON(安美森)、ST(意法)、NXP(恩智浦)、IR(国际整流器)、FREESCALE(飞思卡尔)、NS(国半)、AVAGO(安华高)、TOSHIBA(东芝)、DIODES(美台) 、RENESAS(瑞萨)、ROHM(罗姆)、LINEAR(凌特)、ATMEL(爱特梅尔)、IDT(艾迪悌)、INFINEON(英飞凌)、VISHAY(威士)、HISILICON(海思)、LATTICE(莱迪斯)、NEC(日电)等优势品牌。。

