原装现货代理 NDB6020P ON 晶体管 - FET，MOSFET - 单
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型号：
NDB6020P 厂商：ON
标准包装 800
包装 标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-
其它名称NDB6020P-ND
NDB6020PTR
规格
FET 类型P 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）24A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）35nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1590pF @ 10V
Vgs（值）±8V
FET 功能-
功率耗散（值）60W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）50 毫欧 @ 12A，4.5V
工作温度C
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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