原装现货 FDS6681Z Fairchild 晶体管
型号：
FDS6681Z
厂商：
Fairchild
数据列表 FDS6681Z;
SO 8L NB Pkg Drawing;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerTrench®
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7540pF @ 15V
Vgs（值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 4.6 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
重点描述：
FDS6681Z
30伏的P-沟道PowerTrench®MOSFET
概述
P沟道MOSFET采用飞兆半导体
安森美半导体的副词
保持均衡的PowerTrench
®
的过程，
特别是针对已限度地减少状态
阻力。
该器件非常适合用于电源管理
负载开关应用常见于笔记本电脑
电脑和便携式电池组。
特点
•
-20，-30 V. R
DS（ON）
=4.6米
Ω
@ V
GS
=-10 V
?
DS（ON）
=6.5米
Ω
@ V
GS
=-4.5 V
•
扩展V
GSS
电池的应用范围（-25V）
•
HBM ESD保护水平8kV的典型值（附注3）
•
高性能沟道技术极
低R
DS（ON）
•
高功率和电流处理能力
•
终止是无铅和RoHS
介绍：
FDS6681Z晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
安富利（深圳）实业发展有限公司，的配单。一手货源，价格优势，所出的物料，保证原装，正规代理渠道，请放心购买！本公司为一般纳税人，可开17%增值税发票，欢迎垂询！
