SI7414DN-T1-E3 Vishay 晶体管 PAK8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 25 毫欧 @ 8.7A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
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