制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPD60R650CEATMA1
描述
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
63W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD60R
公司简介：
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