制造商
onsemi
制造商产品编号
NVMFS3D0P04M8LT1G
描述
MV8 P INITIAL PROGRAM
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A（Ta），183A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5827 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.9W（Ta），171W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
公司简介：
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