制造商
Texas Instruments
制造商产品编号
CSD88537ND
描述
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
FET、MOSFET 阵列
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400pF @ 30V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
CSD88537
公司简介：
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