制造商
onsemi
制造商产品编号
2N7000
类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
-
包装
散装
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
基本产品编号
2N7000
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