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公司动态 / News

CSD87333Q3D Texas Instruments 分立半导体产品

2022/11/17 15:54:55 CSD87333Q3D

制造商

Texas Instruments

制造商产品编号

CSD87333Q3D

类别

分立半导体产品

FETMOSFET 阵列

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET

包装

卷带(TR

剪切带(CT

Digi-Reel® 得捷定制卷带

产品状态

在售

FET 类型

2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能

逻辑电平栅极,5V 驱动

漏源电压(Vdss

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A

不同 IdVgs 时导通电阻(最大值)

14.3 毫欧 @ 4A8V

不同 Id Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

662pF @ 15V

功率 - 最大值

6W

工作温度

125°CTJ

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-VSON3.3x3.3

基本产品编号

CSD87333Q3

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