制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STGWA60H65DFB
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，60A
功率 - 最大值
375 W
开关能量
1.59mJ（开），900μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
306 nC
25°C 时 Td（开/关）值
66ns/210ns
测试条件
400V，60A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
60 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
STGWA60
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