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FGA15N120ANTDTU onsemi 分立半导体产品

制造商

onsemi

制造商产品编号

FGA15N120ANTDTU

类别

分立半导体产品

晶体管 - UGBTMOSFET -

制造商

onsemi

系列

-

包装

管件

Product Status

停产

IGBT 类型

NPT 和沟道

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

45 A

不同 VgeIc Vce(on)(最大值)

2.4V @ 15V15A

功率 - 最大值

186 W

开关能量

3mJ(开),600μJ(关)

输入类型

标准

栅极电荷

120 nC

25°C Td(开/关)值

15ns/160ns

测试条件

600V15A10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

330 ns

工作温度

-55°C ~ 150°CTJ

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3SC-65-3

供应商器件封装

TO-3P

基本产品编号

FGA15N120

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