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公司动态 / News

BSS123LT1G onsemi 分立半导体产品

2022/8/30 17:26:24 BSS123LT1G

制造商

onsemi

制造商产品编号

BSS123LT1G

类别

分立半导体产品

晶体管 - FETMOSFET - 单个

制造商

onsemi

系列

-

包装

卷带(TR

剪切带(CT

Digi-Reel® 得捷定制卷带

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

170mATa

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On

10V

不同 IdVgs 时导通电阻(最大值)

6 欧姆 @ 100mA10V

不同 Id Vgs(th)(最大值)

2.6V @ 1mA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

20 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

225mWTa

工作温度

-55°C ~ 150°CTJ

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3TO-236

封装/外壳

TO-236-3SC-59SOT-23-3

基本产品编号

BSS123

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