NTJD1155LT1G onsemi 分立半导体产品
制造商
onsemi
制造商产品编号
NTJD1155LT1G
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
400mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
NTJD1155
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