分立半导体产品 FGY75T120SQDN onsemi
制造商
onsemi
制造商产品编号
FGY75T120SQDN
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.95V @ 15V，75A
功率 - 最大值
790 W
开关能量
6.25mJ（开），1.96mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
399 nC
25°C 时 Td（开/关）值
64ns/332ns
测试条件
600V，75A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
99 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGY75
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