分立半导体产品 BST82,215 Nexperia USA Inc.
制造商
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号
BST82,215
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BST82
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