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分立半导体产品 IXYH82N120C3 IXYS

制造商

IXYS

制造商产品编号

IXYH82N120C3

类别

分立半导体产品

晶体管 - UGBTMOSFET -

制造商

IXYS

系列

GenX3, XPT

包装

管件

产品状态

在售

IGBT 类型

-

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

200 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

380 A

不同 VgeIc Vce(on)(最大值)

3.2V @ 15V82A

功率 - 最大值

1250 W

开关能量

4.95mJ(开),2.78mJ(关)

输入类型

标准

栅极电荷

215 nC

25°C Td(开/关)值

29ns/192ns

测试条件

600V80A2 欧姆,15V

工作温度

-55°C ~ 175°CTJ

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247IXYH

基本产品编号

IXYH82

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