制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
SCT3022KLGC11
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28.6 毫欧 @ 36A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 18.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
178 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2879 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
427W
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247N
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT3022
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