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Infineon Technologies 晶体管 IPB038N12N3GATMA1

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPB038N12N3GATMA1

供应商   

Infineon Technologies

描述

MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK

类别

分立半

晶体管 - FET,MOSFET -

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

(TR)

剪切(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷

零件状

在售

FET

N 通道

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

120 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导阻(最大

3.8 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id Vgs(th)(最大

4V @ 270μA

不同 Vgs 时栅荷 (Qg)(最大

211 nC @ 10 V

Vgs(最大

±20V

不同 Vds 时输容 (Ciss)(最大

13800 pF @ 60 V

FET 功能

-

功率耗散(最大

300W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装

表面装型

商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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