制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB038N12N3GATMA1
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13800 pF @ 60 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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