ON Semiconductor 晶体管 NTR1P02LT1
ON Semiconductor 晶体管 NTR1P02LT1
制造商
ON Semiconductor
制造商产品编号
NTR1P02LT1
ON Semiconductor 晶体管 NTR1P02LT1
包装散装
零件状态停产
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）220 毫欧 @ 750mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.25V @ 250μA
FET 功能-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源电压（Vdss）20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）5.5 nC @ 4 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）225 pF @ 5 V
ON Semiconductor 晶体管 NTR1P02LT1
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