一般信息
数据列表 IRFR/IRFU3410PbF;
标准包装 2,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 IRFR3410TRPBF-ND
IRFR3410TRPBFTR
SP001578202
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 39 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 56nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1690pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta），110W（Tc）
工作温度 -55°C~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
公司简介：
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