制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SIS402DN-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchFET®
其它名称 SIS402DN-T1-GE3TR
SIS402DNT1GE3
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 6 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 42nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 1700pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.8W（Ta），52W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
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