RN4985FE,LF(CT Toshiba 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 供应原装
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
RN4985FE,LF(CT
描述
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
系列 -
其它名称 RN4985FE,LF(CB
RN4985FELF(CTTR
规格
晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（值） 100mA
电压 - 集射极击穿（值） 50V
电阻器 - 基极 (R1) 2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（值） 80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（值） 300mV @ 250μA，5mA
电流 - 集电极截止（值） 500nA
频率 - 跃迁 250MHz，200MHz
功率 - 值 100mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 ES6
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