DMG6601LVT-7 DIODES 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 全新原装
制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
DMG6601LVT-7
描述
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
其它名称 DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT7
规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A，2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 55 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 12.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 422pF @ 15V
功率 - 值 850mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 TSOT-26
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