SI1029X-T1-GE3 Vishay 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 原装现货
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI1029X-T1-GE3
描述
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 TrenchFET®
其它名称 SI1029X-T1-GE3TR
SI1029XT1GE3
规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 305mA，190mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 30pF @ 25V
功率 - 值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SC-89-6
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