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公司动态 / News

NTD20P06LT4G ON 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工程一对一技术指导

2020/4/28 10:23:03 NTD20P06LT4G

制造商 

ON Semiconductor

制造商零件编号 

NTD20P06LT4G

描述 

MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 -

其它名称 NTD20P06LT4GOSTR

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15.5A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 150 毫欧 @ 7.5A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 26nC @ 5V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1190pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 65W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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