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公司动态 / News

SI4920DY-T1-GE3 VISHAY 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 原装

2020/4/18 10:51:30 SI4920DY-T1-GE3

制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI4920DY-T1-GE3

描述 

MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 2 N-通道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 25 毫欧 @ 6.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA()

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 23nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) -

功率 - 值 2W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装 8-SO

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