SIB914DK-T1-GE3 Vishay 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工程一对一技术指导
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SIB914DK-T1-GE3
描述
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 TrenchFET®
其它名称 SIB914DK-T1-GE3TR
SIB914DKT1GE3
规格
FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 113 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 800mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 2.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 125pF @ 4V
功率 - 值 3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6L 双
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6L 双
安富利（深圳）实业发展有限公司，的配单。一手货源，价格优势，所出的物料，保证原装
，正规代理渠道，请放心购买！本公司为一般纳税人，可开13%增值税发票，欢迎垂询！
