制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PMXB65UPEZ
描述
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 1727-2177-2
568-12342-2
568-12342-2-ND
934067151147
PMXB65UPE,147
PMXB65UPEZ-ND
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.2A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 72 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 12nC @ 4.5V
Vgs（值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 634pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散（值） 317mW（Ta），8.33W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN1010D-3
封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘
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