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公司动态 / News

SI8424CDB-T1-E1 Vishay 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工程一对一技术指导

2020/3/26 10:04:30 SI8424CDB-T1-E1

制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI8424CDB-T1-E1

描述 

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SI8424CDB-T1-E1TR

SI8424CDBT1E1

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -

驱动电压( Rds On, Rds On) 1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 20 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 40nC @ 4.5V

Vgs(值) ±5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 2340pF @ 4V

FET 功能 -

功率耗散(值) 1.1W(Ta),2.7W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 4-Microfoot

封装/外壳 4-UFBGA,WLCSP

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