SI8424CDB-T1-E1 Vishay 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工程一对一技术指导
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI8424CDB-T1-E1
描述
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
其它名称 SI8424CDB-T1-E1TR
SI8424CDBT1E1
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 20 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 800mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 40nC @ 4.5V
Vgs（值） ±5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2340pF @ 4V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.1W（Ta），2.7W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-Microfoot
封装/外壳 4-UFBGA，WLCSP
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