制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FGA60N65SMD
描述
IGBT 650V 120A 600W TO3P
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 FGA60N65SMD-ND
FGA60N65SMDFS
规格
IGBT 类型 场截止
电压 - 集射极击穿（值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（值） 120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 180A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.5V @ 15V，60A
功率 - 值 600W
开关能量 1.54mJ（开），450μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 189nC
25°C 时 Td（开/关）值 18ns/104ns
测试条件 400V，60A，3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 47ns
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
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