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公司动态 / News

SQJ968EP-T1_GE3 VISHAY 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 全新原装

2020/3/5 12:02:16 SQJ968EP-T1_GE3

制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SQJ968EP-T1_GE3
描述

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®
其它名称 SQJ968EP-T1_GE3TR 
规格
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23.5A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 33.6 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 18.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 714pF @ 30V
功率 - 值 42W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 双
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